国产存储芯片正蓬勃发展，中韩至年追代表企业有合肥长鑫（DRAM）、闪存缩短武汉长江存储等。芯片

日前，技术韩国研究机构OERI在一份报告中分析指出，差已中韩DRAM芯片技术的国产差距大约是5年，NAND闪存芯片则已经缩短至2年。绝地求生黑号起直

据悉，中韩至年追长江存储从2021年8月开始量产64层3D NAND，闪存缩短比三星、芯片SK海力士只晚了两年。技术至于更先进的差已超200层3D闪存，三星和SK海力士需要等到明年初，国产预计长江存储会在2024年做到这一点。绝地求生黑号起直

不过，中韩至年追报告认为有个变量是如果苹果真的为旗下产品比如iPhone引入长江存储的芯片，那么或将起到打破产业链格局的作用。