CPU、刻机开辟GPU为代表的第战代内逻辑工艺制程进入7nm之后，EUV光刻工艺是场新存年少不了的，现在内存还停留在10nm工艺级别，量产暂时没用到EUV工艺。刻机开辟不过三星、第战代内SK海力士及美光也确定未来会用，场新存年其中美光的量产EUV工艺内存在2024年量产。

美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采访中确认，刻机开辟美光已将EUV技术纳入DRAM技术蓝图，林美辅助第战代内将由10nm世代中的场新存年1γ（gamma）工艺节点开始导入。

美光EUV工艺DRAM将会先在台中A3厂生产，量产预计2024年进入量产阶段。刻机开辟

注意，第战代内这个是场新存年1γ工艺，不是之前的1y工艺，10nm级别的内存工艺中前三代是1x、绝地求生黑号1y、1z，再往后是1a、1β、1γ等。

在美光之前，三星及SK海力士都更早进入了EUV节点，从去年底就开始部署EUV光刻工艺了，而且比美光更激进，最快在1a工艺节点就会量产EUV内存芯片。