继美光后，颗快SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的粒被研发，容量512Gb（64GB），的度更TLC。层读

SK海力士透露，写速闪存单元架构为CTF（电荷捕获），颗快同时集成了PUC技术。粒被

4D闪存是的度更SK海力士自己的说法，此番的冷门游戏辅助层读176层更是被称之为第三代，每片晶圆可以切割更多有效的写速闪存硅片。

除了容量增加35%，颗快闪存单元的粒被读取速度也提升了20%，使用加速技术可使得传输速度加快33%到1.6Gbps。的度更

SK海力士预计相关产品明年年中上市，层读目前主控厂商已经在测试样品，写速预计会在手机闪存领域首发，目标是绝地求生辅助70%的的读速提升和35%的写速提升，后续还会应用到消费级SSD和企业产品上。

另外，SK海力士已经表示，正在开发1Tb（128GB）容量的176层4D闪存。

显然，今后手机可以在更紧凑的空间内做到大容量ROM空间了。