6月28日，弯道据韩国日报消息，超车产三星将在6月30日宣布量产3nm工艺，台积此举也意味着三星在新一代工艺节点上弯道超车台积电，电星后者预计今年下半年才会量产3nm工艺。日量

3nm工艺的良率超具体详情还没公布，但是预期之前导致三星被质疑的良率问题应该已经解决，韩国分析师、弯道HMC投资证券公司研究中心主管Greg Roh日前透露称，超车产三星的绝地求生辅助台积3nm工艺良率提升速度远高于市场预期、新增客户速度相当快。电星

根据他的日量数据，三星晶圆代工业务将成长40%左右、良率超高于业界整体25%的预期增幅水平。

按照三星去年公布的弯道信息，3nm节点也分为3GAE及3GAP，前者主要是三星自己用，游戏辅助网后者首次使用GAA晶体管，面向外部代工客户。

根据三星的说法，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%，纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。