videocardz消息，星开三星开发出业界首个基于HKMG的发出DDR5内存，该内存是首条带宽密集型高级计算应用程序的理想选择。三星称，存速八层TSV结构使512GB容量的度比DDR5模块成为可能。HKMG材料将功耗降低了13％，星开速度比DDR4快一倍。发出

三星今天宣布，首条它已开发出业界首个基于High-K Metal Gate（HKMG）工艺技术的存速512GB DDR5内存。新型DDR5在性能方面是林美辅助度比DDR4的两倍以上，最高可达7200MHz，星开能够满足超级计算机、发出人工智能（AI）和机器学习等要求很高的首条计算需求。

三星DDR5将采用HKMG技术，存速该技术曾在逻辑半导体中使用。度比随着DRAM结构的不断缩小，绝缘层变薄，漏电可能性增大。三星DDR5内存通过使用HKMG材料，可以减少漏电并拥有更强性能。绝地求生黑号这款新的内存还将减少大约13％的功耗，使其特别适用于对能源效率要求很高的数据中心。

三星DDR5利用硅穿孔（TSV）技术，堆叠了八层16Gb DRAM芯片，可提供最大512GB的容量。

三星目前已向客户提供其DDR5内存产品系列的不同变体SKU，以供客户试用。