您的当前位置:首页 >焦点 >三星欲在美建5nm EUV厂:豪掷180亿美元 2024量产 在新一代半导体工艺中 正文
时间:2024-05-26 00:22:05 来源:网络整理编辑:焦点
在新一代半导体工艺中,美国本土的厂商已经落后于三星、台积电,Intel最先进的工艺现在还是10nm。日前有消息称三星准备在美国建设5nm EUV芯片厂。据韩媒援引业内人士消息,三星电子已决定在美国得克
在新一代半导体工艺中,美建美国本土的厂产厂商已经落后于三星、台积电,豪掷Intel最先进的亿美元量工艺现在还是10nm。日前有消息称三星准备在美国建设5nm EUV芯片厂。美建
据韩媒援引业内人士消息,厂产三星电子已决定在美国得克萨斯州奥斯丁设立EUV半导体工厂,豪掷以满足日益增长的亿美元量小型芯片需求和美国重振半导体计划。
该工厂将采用5nm制程,美建计划于今年Q3开工,游戏辅助网厂产2024年投产,豪掷预计耗资180亿美元。亿美元量
这次在美国建厂也是美建三星电子首次在韩国之外设立EUV产线。
业内估计三星将在5月21日左右就此发布正式公告。厂产
在此之前,豪掷台积电去年宣布,将在美国亚利桑那州建设一座芯片工厂,建成之后将采用5nm工艺为相关的客户代工芯片,计划月产能20000片晶圆,这一工厂计划2021年开始建设,目标是绝地求生辅助2024年投产,台积电计划2021年到2029年在这一工厂投资120亿美元。
最新消息称,台积电管理层目前正在讨论,他们在美国的下一座芯片工厂,是否采用更先进的3nm制程工艺,为相关的客户代工芯片。
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